GaNおよびシリコンFETベースのアクティブ・クランプ・フライバック・コンバータの比較(英語)

このセッションでは、アクティブ・クランプ・フライバック・コンバータがどのようにしてゼロ電圧スイッチング(ZVS)を実現し、トランスのリーク・エネルギーをリサイクルして高周波動作の効率を向上させるかを示します。ZVS のための循環エネルギーがスイッチ・ノード容量によって決定されることはよく知られていますが、2 つの 1 次側スイッチおよび 2 次側の同期整流器による容量非直線性の影響についてはよく理解されていません。このセッションでは、各スイッチング・デバイスの接合容量の非直線性の違いによる設計上のトレードオフを全負荷から軽負荷までにわたって考察した後、容量の非直線性に対処する適切な制御戦略を提案します。さらに、非直線性の影響を考慮しながら分析用の式や設計手順を開発します。最後に、上記の考察や制御方法の裏付けとして、最新の GaN およびシリコン FET を使用した 30Wアダプタでの実験結果とシミュレーション結果を示します。

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