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應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 - 2
00:13:11
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11 APR 2020
就氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體的兩者應用,進行深入的探討,帶大家瞭解非線性影響、平衡、比較以及解決方案。
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Gallium nitride (GaN): pushing performance beyond silicon
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