3.2 應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 - 2
描述
2020年 4月 11日
就氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體的兩者應用，進行深入的探討，帶大家瞭解非線性影響、平衡、比較以及解決方案。
MENU
Menu
電子郵件
1適用於測試設備應用的高電流、大電壓以及快速電壓轉換率解決方案 (3)
講述大功率的電流輸出驅動器，適用於各種測試情景。
2TI 用於高速訊號數位化系統的參考設計 (3)
本課程分為三大部分：高速訊號數位化方塊圖概觀、用於高速數位化訊號的工業系統以及設計的考量。
3應用氮化鎵(GaN-)及矽(Si-)場效應電晶體(FET)在主動鉗位反馳式電源轉換器之比較與設計考量 (3)
簡單介紹主動鉗位反馳式電源轉換器和以往常知的傳統反馳式電源轉換器之區別
4電源供應器迴路增益量測技巧 (3)
分享電源供應器迴路增益量測技巧的經驗和注意事項。
